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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제8호
발행연도
2003.8
수록면
13 - 17 (5page)

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본 논문에서는 CMOS 소자의 RF 동작을 정확히 예측하기 위해 Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스 효과와 표피효과 및 근접효과를 포함한 RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델을 처음으로 제시하였다. Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스는 레이아웃에 기초하여 모델링하였으며, 표피효과는 메탈 라인의 등가회로에 병렬회로를 부가하여 사다리꼴 등가회로로 구현하였다. 근접효과는 사다리꼴 등가회로에서 교차 결합된 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 부가함으로써 모델링하였다. 제안된 RF 모델은 BSIM 3v3에 비해 측정 데이터와 잘 일치하였으며, GHz 영역에서 소자 동작의 주파수 종속성을 잘 보여 주었다.

목차

RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 다중-손가락(Multi-finger) 레이아웃과 RF CMOS 등가회로

Ⅲ. 모델 검증

Ⅳ. 결론

참고문헌

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