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이용수
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Pi 게이트 소자 제안과 시뮬레이션
Ⅲ. 소자의 최적 설계 가이드라인
Ⅳ. 결론
참고문헌
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나노 스케일 MuGFET의 소자 구조 최적화에 관한 연구
전자공학회논문지-SD
2006 .04
Impact of Gate Structure On Hot-carrier-induced Performance Degradation in SOI low Noise Amplifier
전자공학회논문지-IE
2010 .03
폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
단채널효과를 극복할 수 있는 새로운 T자 형태의 게이트를 갖는 Grooved Gate MOSFET 소자구조에 관한 연구
전기학회논문지
1997 .11
A New SOI inverter Gate for Low Power Applications
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
다중 게이트를 이용한 SOI Thin Film Transistor의 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
다중 게이트을 이용한 부분 공핍형 SOI MOSFET 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
게이트가 파인 구조를 이용한 SOI MOSFET에서의 항복전압 개선 ( Breakdown Voltage Improvement in SOI MOSFET Using Gate-Recessed Structure )
전자공학회논문지-A
1995 .12
Analysis of 1/f Noise in Fully Depleted n-channel Double Gate SOI MOSFET
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2005 .09
폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구
전자공학회논문지-SD
2004 .08
SOI MOSFET Back게이트전압에 따른 Subthreshold 특성의 특수현상 ( Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
Anomalous Phenomena on Subthreshold Characteristics of SOI MOSFET Back Gate Voltage
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
Analytical Characterization of a Dual-Material Double-Gate Fully-Depleted SOI MOSFET with Pearson-Ⅳ type Doping Distribution
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2007 .06
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구 ( A Study on I-V Characteristics of n-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
대칭/비대칭 double 게이트를 갖는 SOI MOSFET에서 subthreshold 누설 전류 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화
한국정보통신학회논문지
2007 .05
다중 Gate 및 Channel 구조를 갖는 CMOS 영상 센서용 Floating-Gate MOSFET 소자의 제작 및 특성 평가
전기학회논문지 C
2001 .01
2-bit/Cell Split Gate Flash Memory with Double Gate
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2007 .07
NMOSFET SOI 소자에서 부분적 게이트 산화막 두께 변화에 의한 돌연 전류 효과 고찰
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
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