사다리꼴 게이트 구조를 갖는 고내압 AlGaN/GaN HEMT

김재무; 김수진; 김동호; 정강민; 최홍구; 한철구; 김태근

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김재무 김수진 김동호 정강민 최홍구 한철구 김태근

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編第46卷第4號

발행연도: 2009.4

수록면: 10 - 14 (5page)

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본 논문에서는 항복 전압 특성을 향상시키기 위한 사다리꼴 게이트 구조의 AlGaN/GaN HEMT구조를 제안하였으며 그 실현 가능성을 2차원 소자 시뮬레이터를 통해 조사하였다. 사다리꼴 게이트 구조의 사용으로 드레인 방향의 게이트 모서리 부근에서 나타나는 전계의 집중을 효과적으로 분산되는 것이 시뮬레이션 결과에서 확인 되었다. 제안된 사다리꼴 게이트 AlGaN/GaN HEMT 소자 구조에서 2DEG 채널을 따라 형성되는 전계의 피크값은 4.8 MV/㎝ 에서 3.5 MV/㎝ 로 기존 구조의 AlGaN/GaN HEMT에 비해 30 % 가량 감소하였으며, 그 결과로 인해 항복 전압은 49 V 에서 69 V 로 40 % 가량 증가하였다.

#AlGaN #GaN #HEMT #trapezoidal gate #breakdown voltage

참고문헌 (12)

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1. [학술지(정기간행물)] - S. Russo / 2007 / Influence of the Source-Gate Distance on the AlGaN/GaN HEMT Performance / IEEE Transactions on Electron Devices 54 (5) : 1071 ~ 1075

2. [학술지(정기간행물)] - H. Xing / 2004 / High breakdown voltage AlGaN-GaN HEMTs achieved by multiple field-plates / IEEE Elctron Device Lett. 25 : 161 ~ 163

3. [학술지(정기간행물)] - W. Saito / 2005 / Design optimization of high breakdown voltage AlGaN-GaN power HEMT on an insulating substrate for RONA-VB tradeoff characteristics / IEEE Trans. on Electron Device 52 : 106 ~ 111

4. [학술대회논문] - S. Kim / 2005 / Enhanced Breakdown Characteristic of AlGaN/GaN HEMTs Using a Gate/Drain Double Field-Plate Structure / Extended Abstracts of the 2005 Int. Conf. on SSDM : 208 ~ 209

5. [기타자료] - Device simulation software Atlas / 2007 / Atlas User’s Manual / Silcvaco international

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