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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.9
- 수록면
- 880 - 886 (7page)
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메모리는 최근 많은 전자제품에 이용되면서 많은 연구자들이 메모리에 대한 연구를 진행하고 있다. 그중, 단위면적당 저장용량을 증가하기 위한 많은 연구들이 진행되고 있는데, 단위 면적당 저장용량을 증가하기 위하여 메모리의 공정의 크기를 줄이는 연구 뿐 아니라, 최근에는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 멀티 레벨 셀 메모리의 연구가 진행되고 있다. 하지만, 한 셀에 멀티 비트를 저장하게 되면서 다양한 오류들로 인하여 저장된 데이터를 정확히 읽는 데 어려움이 많다. 본 논문에서는 멀티 레벨 셀 메모리의 오류의 요인을 분석하고 그에 대한 멀티 레벨 셀 메모리의 채널을 모델링 하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 멀티 레벨 셀 메모리 채널
Ⅲ. 시뮬레이션을 위한 멀티 레벨 셀 메모리의 채널 모델링
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (19)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - T. Tanzawa / 1997 / A compact on-chip ECC for low cost Flash Memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 32 (5) : 662 ~ 669
2. [학술대회논문] - B. Polianskikh / 2001 / Induced error-correcting code for 2bit-per-cell multi-level DRAM / Proceeding of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems : 352 ~ 355
3. [학술지(정기간행물)] - H. Nobukata / 2000 / A 144-Mb, Eight-level NAND flash memory with optimized pulsewidth programming / IEEE Journal of Solid-State Circuits 35 (5) : 682 ~ 690
4. [학술지(정기간행물)] - T. Hara / 2006 / A 146-mm2 8-Gb multi-level NAND flash memory with 70-nm CMOS technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 41 (1) : 161 ~ 169
5. [학술지(정기간행물)] - K. Takeuchi / 1998 / multipage cell architecture for high-spped programming multilevel NAND flash memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 33 (8) : 1228 ~ 1238
2. [학술대회논문] - B. Polianskikh / 2001 / Induced error-correcting code for 2bit-per-cell multi-level DRAM / Proceeding of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems : 352 ~ 355
3. [학술지(정기간행물)] - H. Nobukata / 2000 / A 144-Mb, Eight-level NAND flash memory with optimized pulsewidth programming / IEEE Journal of Solid-State Circuits 35 (5) : 682 ~ 690
4. [학술지(정기간행물)] - T. Hara / 2006 / A 146-mm2 8-Gb multi-level NAND flash memory with 70-nm CMOS technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 41 (1) : 161 ~ 169
5. [학술지(정기간행물)] - K. Takeuchi / 1998 / multipage cell architecture for high-spped programming multilevel NAND flash memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 33 (8) : 1228 ~ 1238
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