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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
송근수 (한국생산기술연구원) 유경훈 (한국생산기술연구원)
저널정보
대한설비공학회 대한설비공학회 학술발표대회논문집 대한설비공학회 2010년도 하계학술발표대회
발행연도
2010.6
수록면
1,436 - 1,441 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

정전효과가 있는 300 ㎜ 보다 큰 반도체 웨이퍼로의 입자침착 수치해석
송근수 ,  유경훈 대한설비공학회 학술발표대회논문집 2010.06 학술대회자료
300 ㎜보다 큰 반도체 웨이퍼로의 입자침착 수치해석
송근수 ,  유경훈 대한기계학회 춘추학술대회 2010.05 학술대회자료

초록· 키워드

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Particle deposition on a semiconductor wafer larger than 300 mm was studied numerically. In particular the electrostatic effect on particle deposition velocity was investigated. The present numerical method took into consideration the particle transport mechanisms of convection, Brownian diffusion, gravitational settling and electrostaic attraction to characterize particle deposition on a horizontal semiconductor wafer under the laminar flow field. The averaged particle deposition velocities on the upper surface of the wafer were calculated from the particle concentration equation in the Eulerian frame of reference. It was observed from the numerical results that the electrostatic effect of wafer increased the particle deposition velocities. The comparison of the present numerical results with the available experimental data showed relatively good agreement between them.
#450 ㎜ Semiconductor Wafer(450 ㎜ 반도체 웨이퍼) #Electrostatic effect(정전효과) #Particle Deposition velocity(입자침착속도)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 수치해석방법
3. 결과 및 검토
4. 결론
후기
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