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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.7
- 수록면
- 213 - 216 (4page)
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In this paper, we proposed a new piece of 3D memory architecture to overcome limitations current memory devices have. This memory structure has been designed in a way to deposit phase-change material on the contact area. We also simulated phase-change characteristics of proposed 3D memory architecture by using the Sentaurus tool and found the operating current density decreased dramatically. This paper shows that the proposed 3D memory architecture has an opportunity to realize the goals of next-generation tera-bit storage memory with the 3D NAND flash memory architecture.
목차
Abstract
I. 서론
II. 수평방향으로 적층된 상변화 물질의 측면 접촉면적 이용한 3차원 상변화 메모리 구조
III. 제안된 3차원 상변화 메모리 구조의 온도변화 및 전류밀도 특성결과
IV. 결론
참고문헌
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