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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
신우철 (동부하이텍) 송혜경 (동부하이텍) 정원영 (동부하이텍) 조경순 (한국외국어대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제51권 2호
발행연도
2014.2
수록면
38 - 45 (8page)

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본 논문에서는 메모리 컴파일러를 정확하고 빠르게 특성화할 수 있도록 기준 메모리를 기반으로 특성화하는 방법을 제안하였다. 제안한 특성화 방법은 메모리 컴파일러의 정확도를 유지하면서 특성화 시간을 최소화하기 위해 메모리 컴파일러의 타이밍 경향을 분석하고 분석 결과를 토대로 기준 메모리를 선정하고, 메모리간의 경향성을 대변할 수 있도록 모델링하였다. 본 논문에서 제안한 방법론을 검증하기 위하여 130nm에서 개발된 메모리 컴파일러를 제안한 방법을 이용하여 110nm 메모리 컴파일러를 특성화하였다. 이를 통해 생성한 메모리들의 특성과 SPICE를 사용하여 특성화한 결과를 비교하여 메모리 타이밍의 평균 오차율은 ±0.1% 이내였으며 실제 110nm 공정을 사용하여 제작된 메모리 BIST(Built-In Self Test) 테스트 칩으로 기능 검사한 결과, 수율(Yield)이 98.8% 임을 확인하였다. 또한, 180nm 공정을 사용하여 비교한 결과, 수율이 98.3%로 그 유용성을 확인할 수 있었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Advanced Memory Characterization Method
Ⅲ. 검증 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES

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