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저자정보
박은정 (부산대학교) 이현섭 (동명대학교) 정호빈 (노스이스턴대학교) 정해도 (부산대학교)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 윤활학회지 제31권 제3호
발행연도
2015.6
수록면
79 - 85 (7page)

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RC delay is a critical issue for achieving high performance of ULSI devices. In order to minimize the RC delay time, we uses the CMP process to introduce high-conductivity Cu and low-k materials on the damascene. The low-k materials are generally soft and fragile, resulting in structure collapse during the conventional high-pressure CMP process. One troubleshooting method is electrochemical mechanical polishing (ECMP) which has the advantages of high removal rate, and low polishing pressure, resulting in a well-polished surface because of high removal rate, low polishing pressure, and well-polished surface, due to the electrochemical acceleration of the copper dissolution. This study analyzes an electrochemical state (active, passive, transpassive state) on a potentiodynamic curve using a three-electrode cell consisting of a working electrode (WE), counter electrode (CE), and reference electrode (RE) in a potentiostat to verify an electrochemical removal mechanism. This study also tries to find optimum conditions for ECMP through experimentation. Furthermore, during the lowpressure ECMP process, we investigate the effect of current density on surface roughness and removal rate through anodic oxidation, dissolution, and reaction with a chelating agent. In addition, according to the Faraday’s law, as the current density increases, the amount of oxidized and dissolved copper increases. Finally, we confirm that the surface roughness improves with polishing time, and the current decreases in this process.
#electrochemical mechanical polishing(전기화학 기계적 연마) #potentiodynamic curve(변전위 곡선) #passivation layer(부동태 층) #current density(전류밀도) #material removal rate(재료제거율)

목차

Abstract
1. 서론
2. 연구방법 및 내용
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (16)

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Interconnect / 2011 / ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors, on-line document) / International Technology for Semiconductors google schola Ian, I. S. / 2005 / Water diffusion Coefficients During Copper Electropolishing / Journal of Applied Electrochemistry 18:341~349 google schola Zhai, W. / 2008 / Research Progressed on Electro-chemical Mechanical Planarization(ECMP)in the Fabrication of Integrated Circuit Wafers / China Mechanical Engineering 19:498~503 google schola Hong, Y. / 2005 / Ammonium Dodecyl Sulfate as a Potential Corrosion Inhibitor Surfactant for Electrochemical Mechanical Planarization of Copper / Electrochemical and Solid-State Letters 8:297~300 google schola Ryan, J. G. / 1995 / The Evolution of Interconnection Technology at IBM / IBM Journal of Research and Development 39:371~381 google schola

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