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저자정보
고준영 (연세대학교) 김지수 (연세대학교) 최영돈 (삼성전자) 박현국 (삼성전자) 정성욱 (연세대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
109 - 112 (4page)

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The voltage biasing circuit is widely used in many application such as sensor, analog circuit, and memory circuit. However, the supply voltage noise can cause an error between the voltage biasing circuit block and a target block of biasing voltage. Especially, in the PRAM, the effect of supply voltage noise on sensing circuit has been increased. This research proposed the supply voltage noise tolerant voltage biasing (SVNTVB) scheme to alleviate the effect of supply voltage noise on the sensing circuit of PRAM. The proposed SVNTVB achieves under 5mV of V<SUB>SG</SUB> mismatch when the supply voltage noise is 30mV.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 SVNTVB 설계
Ⅲ. 구현 및 실험
Ⅳ. 결론 및 향후 연구방향
참고문헌

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