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In this paper, the GaN FET based phase-shift full-bridge dc-dc converter design is implemented. Switch characteristics of GaN FET were analyzed in detail by comparing state-of-the-art Si MOSFET. Owing to the low conduction resistance and parasitic capacitance, it is expected to GaN FET based power conversion system has improved performance. However, GaN FET is vulnerable to electric interference due to the relatively low threshold voltage and fast switching transient. Therefore, it is necessary to consider PCB layout to design GaN FET based power system because PCB layout is the main reason of stray inductance. To reduce the electric noise, gate voltage of GaN FET is analyzed according to operation mode of phase-shift full-bridge dc-dc converter. Two 600W phase-shifted full-bridge dc-dc converter are designed based on the result to evaluate effects of stray inductance.
목차
Abstract
1. 서론
2. 전력반도체 특성 비교
3. 1차 보드 설계 및 분석
4. 게이트 노이즈 분석
5. 2차 보드 설계 및 분석
6. 결론
References
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
Jose Millan, Member, IEEE, Philippe Godignon, Xavier Perpina, Amador Perez-Tomas, and Jose Rebollo, “A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices,” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONIC, vol. 29, no. 5, pp 2155-2163, May. 2014.
Jung-Hoon Ahn, Byoung-Kuk Lee, Jong-Soo Kim, “Comparative analysis of GaN FET power system for maximizing system benefit,” 2014 17th International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS), pp 1915-1920, Oct. 2014, Hangzhou, China.
Xiucheng Huang, “Analytical Loss Model of High Voltage GaN HEMT in Cascode Configuration,” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 29, NO. 5, MAY 2014.
Xiucheng Huang, “Evaluation and Application of 600 V GaN HEMT in Cascode Structure,” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 29, NO. 5, MAY. 2014.
Zhengyang Liu, Xiucheng Huang, Wenli Zhang, Lee, F.C, Qiang Li, “Evaluation of high-voltage cascode GaN HEMT in different package,” Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC), pp 168-173, 2014.
Jung-Hoon Ahn, Byoung-Kuk Lee, Jong-Soo Kim, “Comparative analysis of GaN FET power system for maximizing system benefit,” 2014 17th International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS), pp 1915-1920, Oct. 2014, Hangzhou, China.
Xiucheng Huang, “Analytical Loss Model of High Voltage GaN HEMT in Cascode Configuration,” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 29, NO. 5, MAY 2014.
Xiucheng Huang, “Evaluation and Application of 600 V GaN HEMT in Cascode Structure,” IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 29, NO. 5, MAY. 2014.
Zhengyang Liu, Xiucheng Huang, Wenli Zhang, Lee, F.C, Qiang Li, “Evaluation of high-voltage cascode GaN HEMT in different package,” Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC), pp 168-173, 2014.
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