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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
손유승 (한국과학기술연구원) 김원목 (한국과학기술연구원) 박종극 (한국과학기술연구원) 정증현 (한국과학기술연구원)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.3 No.4
발행연도
2015.12
수록면
130 - 134 (5page)

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The high efficiency cell research processes through the KF post deposition treatment (PDT) of the Cu(In,Ga)Se₂(CIGS) thin film has been very actively progress. In this study, it CIGS thin film deposition process when KF PDT 300 to the processing temperature, 350, 400°C changed to soda-lime glass (SLG) efficiency of the CIGS thin film characteristics, and solar cell according to Na presence of diffusion from the substrate the effects were analyzed. As a result, the lower the temperature of KF PDT and serves to interrupt the flow of current K-CIGS layer is not removed from the reaction surface, FF and photocurrent is decreased significantly. Blocking of the Na diffusion from the glass substrate is significantly increased while the optical voltage, photocurrent and FF is a low temperature (300, 350°C) in the greatly reduced, and in 400°C tend to reduce fine. It is the presence of Na in CIGS thin film by electron-induced degradation of the microstructure of CIGS thin film is expected to have a significant impact on increasing the hole recombination rate a reaction layer is formed of the K elements in the CIGS thin film surface.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
References

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