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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.11
- 수록면
- 48 - 51 (4page)
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Resistive switching memories are recommended to be operated under low switching current for low-power operation. In this paper, influence of compliance current (I<SUB>comp</SUB>) on fabricated resistive switching memory has been observed under DC operation. Reset current (I<SUB>RESET</SUB>) has been shown to increase with the rise of compliance current. By limiting the range of compliance current within 100μA, relationship of I<SUB>LRS</SUB> and I<SUB>HRS</SUB> to I<SUB>comp</SUB> has been investigated. Also, on/off ratio has been observed to increase with higher value of I<SUB>comp</SUB> valued within 100μA.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
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