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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Jin-Hong Kim (Korea Electronics Technology Institute) Joon Sung Park (Korea Electronics Technology Institute) Bon-Gwan Gu (Kyungpook National University) Chung-Yuen Won (Sungkyunkwan University)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.12 No.2
발행연도
2017.3
수록면
632 - 642 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2017

Turn-on Loss Reduction for High Voltage Power Stack Using Active Gate Driving Method
Jin-Hong Kim ,  Joon Sung Pa ,  k 외 2명 Journal of Electrical Engineering & Technology 2017.03 학술저널

2007

An Active Gate Drive Circuit for High Power Inverter System to Reduce Turn-off Spike Voltage of IGBT
Jin-Hong Kim ,  Dong-Hyun Pa ,  k 외 2명 ICPE(ISPE)논문집 2007.10 학술대회자료

초록· 키워드

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This paper presents an improved approach towards reducing the switching loss of insulated gate bipolar transistors (IGBTs) for a medium-capacity-class power conditioning system (PCS). In order to improve the switching performance, the switching operation is analyzed, and based on this analysis, an improved switching method that reduces the switching time and switching loss is proposed. Compared to a conventional gate drive scheme, the switching loss, switching time, and delay are improved in the proposed gate driving method. The performance of the proposed gate driving method is verified through several experiments.
#Active gate drive #Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) gate driver #IGBT #Mediumvoltage drive

목차

Abstract
1. Introduction
2. IGBT Operation
3. Gate Driving Methods
4. Proposed Active Gate Driving Method
5. Experimental results
6. Conclusion
References

참고문헌 (29)

참고문헌 신청
Wu B, Lang Y, Zargari N, and Kouro S, Power conversion and control of wind power systems, Wiley- IEEE Press, 2011. Rodriguez J, Bernet S, Wu B, Pontt JO, and Kouro S, “Multilevel voltage source converter topologies for industrial medium-voltage drives,” IEEE Trans. Ind Electron., vol. 54, no. 6, pp. 2930-2945. V. John, B. S. Suh and T. A. Lipo, “High-performance active gate drive for high-power IGBT’s,” IEEE Trans. Ind. Appl., vol. 35, no. 5, pp. 1108-1117, Sept./Oct., 1999. L. Heinemann, J. Mast, G. Scheible, T. Heinzel, and T. Zuellig, Power supply for very high insulation requirements in IGBT gate-drives, in Proceedings of IEEE Industry Applications Conference Soc. Annual Meeting, vol. 2, pp. 1562-1566, 1998. H. G. Eckel and L. Sack, “Optimization of the turnoff performance of IGBT at overcurrent and shortcircuit current,” in Proceedings of EPE’93, pp. 317- 322, 1993.

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