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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최원묵 안호균 (창원대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제21권 제2호
발행연도
2017.2
수록면
353 - 360 (8page)

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최근 Si기반 전력반도체의 물성적 한계로 인해 스위칭 반도체의 발전 속도가 떨어지고, 더 이상의 성능향상을 기대하기 어려운 실정이지만 Si기반보다 우수한 물성을 가진 SiC 기반 전력반도체가 개발되고 있다. 하지만 실제 시스템에 적용하기 위해서는 아직 뚜렷한 방법이 제시되지 못하고 있다. SiC기반 전력반도체의 시스템 설계에 대한 타당성과 솔루션을 제안하기 위하여, 1kW급의 DC-DC컨버터를 설계 및 제작하고 스위칭 주파수, 듀티비, 전압, 전류의 변화 조건 속에서 Si기반 전력반도체와 실험을 통해 비교․분석하였다. 각 시스템 부하별 입․출력을 통한 효율을 분석 및 Si MOSFET 대비 SiC MOSFET의 우수한 스위칭 성능을 확인하였고, 이를 통해 동일한 구동 조건에서 SiC MOSFET의 우수성을 검증하였다.
#고효율 #부스트컨버터 #SiC MOSFET #Si MOSFET #차세대 전력반도체 #High Efficient #Boost Converter #Next Generation Power Semiconductor

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SiC 전력반도체의 특성
Ⅲ. 소자 특성 비교
Ⅳ. 실험 시스템 구성 및 제작
Ⅴ. 실험 결과
Ⅵ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
I. H. Kang, W. Bang, J. H. Mun, and M. K. Na, “SiC power semiconductor device technology trend,” Ceramist, vol. 16, no. 4, pp. 7-16, Dec. 2013. N. K. Kim, S. C. Kim, W. Bang, and U. D. Kim, “Silicon Carbide (SIC) Semiconductor situation,” KIPE MAGAZINE, vol. 9, no. 6, pp. 27-31, Dec. 2004. T. Hayashi, H. Tanaka, Y. Shimoida, S. Tanimoto, and M. Hoshi, “New High-voltage Unipolar Mode p+ Si/n-4H-SiC Heterojunction Diode,” in Proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Italy, vol. 483-485, pp. 953-956, May 2005. R. Fu, E. Santi, and Y. Zhang, “Power SiC MOSFET Model with Simplified Description of Linear and Saturation Operating Regions,” International Conference on Power Electronics (ICPE), pp. 190-195, June 2015. P. Jang, S. W. Kang, B. H. Cho, J. H. Kim, H. S. Seo, H. S. Park, “Totem-pole Bridgeless Boost PFC Converter Based on GaN FETs,” The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics, vol. 20, no. 3, pp. 214-222, June 2015.

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