금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터의 불순물 분포 변동 효과에 미치는 이온주입 공정의 영향

박재현; 장태식; 김민석; 우솔아; 김상식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박재현 (Korea University) 장태식 (Korea University) 김민석 (Korea University) 우솔아 (Korea University) 김상식 (Korea University)

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제21권 제1호

발행연도: 2017.3

수록면: 96 - 99 (4page)

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본 연구에서는 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터의 불순물 분포변동 효과에 미치는 halo 및 LDD 이온주입 공정의 영향을 3차원 소자 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 정확한 시뮬레이션 계산을 위해 kinetic monte carlo 모델을 적용하여 불순물 입자와 결함 낱낱의 거동을 계산하는 원자단위 시뮬레이션을 수행하였다. 문턱전압 및 on-current의 산포를 통해 확인한 결과 halo 이온주입 공정이 LDD 이온주입 공정보다 문턱전압 산포의 경우 약 6.45배 그리고 on-current 산포의 경우 2.46배 더 큰 영향을 미치는 특성을 확인하였다. 그리고 문턱전압과 on-current 산포를 히스토그램으로 나타내어 그 산포를 정규분포로 확인하였다.

#Random dopant fluctuation #dynamic random access memory #implantation #simulation #MOSFET

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[학술지(정기간행물)] - Chris A. Mack / 2011 / Fifty Years of Moore's Law / IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 24 (2) : 202 ~ 207

[학술지(정기간행물)] - M. Jo / 1999 / The Extraction Method of LDD NMOSFET's Metallurgical Gate Channel Length / j.inst.Korean.electr.electron.eng 3 (1) : 118 ~ 125

[학술지(정기간행물)] - R. Sarpeshkar / 1991 / Mismatch sensitivity of a simultaneously latched CMOS sense amplifier / IEEE Journal of Solid-State Circuits 26 (10) : 1413 ~ 1422

[학술지(정기간행물)] - C. Michael / 1992 / Statistical modeling of device mismatch for analog MOS integrated circuits / IEEE Journal of Solid-State Circuits 27 (2) : 154 ~ 166

[단행본] - C. Shin / 2016 / Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Springer

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