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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.34 No.10
- 발행연도
- 2017.10
- 수록면
- 735 - 738 (4page)
- DOI
- 10.7736/KSPE.2017.34.10.735
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ZrO<SUB>2</SUB> film is widely used for high-k applications and also has good mechanical properties. This paper covers the study of the properties of ZrO<SUB>2</SUB> film deposited by atomic layer deposition (ALD) using TEMA Zr and water in the temperature range of 110 to 250<SUP>o</SUP>C for potential application in flexible-device fabrication. At a low deposition temperature, ALD ZrO<SUB>2</SUB> films showed a uniform growth rate of ~1 Å per cycle, good uniformity, partial crystallinity, and smooth surface. ZrO<SUB>2</SUB> can also be deposited on the trench structure with a high aspect ratio (~1:50), but conformality needs to be improved for practical applications.
목차
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
REFERENCES
4. 결론
참고문헌 (4)
참고문헌 신청
Lee, B., Choi, K., Hande, A., Kim, M., Wallace, R., et al., “A Novel Thermally-Stable Zirconium Amidinate ALD Precursor for ZrO2 Thin Films,” Microelectronic Engineering, Vol. 86, No. 3, pp. 272-276, 2009.
Lucero, A. T., Cho, T., and Kim, J., “Characterization of a Novel Radical Nitrogen Plasma Source for Semiconductor Nitridation,” ECS Transactions, Vol. 61, No. 2, pp. 151-157, 2014.
Senzaki, Y., Okuyama, Y., Kim, G., Kim, H. Y., Barelli, C., et al., “Highly Conformal ALD of ZrO2 at Higher Process Temperatures than the Conventinal Temazr-Based Process,” ECS Transactions, Vol. 25, No. 4, pp. 201-207, 2009.
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