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Doyoon Kim (Korea University) Sooyeon Kim (Korea University) Kiryong Song (Korea University) Jungsoo Kim (Korea University) Junghwan Yoo (Korea University) Jae-Sung Rieh (Korea University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.4
발행연도
2018.8
수록면
536 - 540 (5page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.4.536

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A D-band low-noise amplifier (LNA) has been developed based on a 65-nm CMOS technology, which showed a measured peak gain of 16.1 dB at 134.5 GHz. The noise property of the fabricated amplifier was characterized with two different noise measurement techniques: the cryogenic Y-factor method and the N-times power method. The two methods showed a minimum value of the noise figure of 10.7 dB and 14.7 dB, respectively.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. LOW-NOISE AMPLIFIER
III. NOISE MEASUREMENT
IV. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (4)

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