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대한임베디드공학회 대한임베디드공학회논문지 대한임베디드공학회논문지 제10권 제6호
발행연도
2015.1
수록면
391 - 397 (7page)

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Nonvolatile memories in memory hierarchy have been investigated to reduce its energy consumption because nonvolatile memories consume zero leakage power in memory cells. One of the difficulties is, however, that the endurance of most nonvolatile memory technologies is much shorter than the conventional SRAM and DRAM technology. This has limited its usage to only the low levels of a memory hierarchy, e.g., disks, that is far from the CPU. In this paper, we study the use of a new type of nonvolatile memories - the Phase Change Memory (PCM) with a DRAM buffer system as the main memory. Our design reduced the total energy of a DRAM main memory of the same capacity by 80%. These results indicate that it is feasible to use PCM technology in place of DRAM in the main memory for better energy efficiency.
#DRAM #PCM #Phase Change Memory) #Main memory #Buffer system

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B. C. Lee / 2009 / Architecting phase change memory as a scalable dram alternative / Proceedings of The 36th Annual International Symposium on Computer Architecture : 2 ~ 13 google schola D. Burger / / The SimpleScalar tool set, version 3.0 google schola G. Dhiman / 2009 / PDRAM : A Hybrid PRAM and DRAM Main Memory System / Proceedings of The 46th Annual Design Automation Conference : 664 ~ 669 google schola G. S. Choi / 2013 / PTL : PRAM translation layer / Journal of Microprocessors & Microsystems 37 (1) : 24 ~ 32 google schola H. G. Lee / 2010 / High-performance NAND PRAM Hybrid Storage Design for Consumer Electronics / IEEE Transactions on Comsumer Electronic 56 (1) : 112 ~ 118 google schola

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