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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 698 - 703 (6page)
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본 연구에서는 유연한 폴리이미드 (PI) 기판의 분리형 게이트 (extended gate, EG)를 가지는 고성능 이중 게이트 (dual gate) 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 (ion-sensitive field-effect-transistor)를 제작하였다. Silicon-on-insulator (SOI) 기판에 구현된 이중 게이트 구조의 전계 효과 트랜지스터는 채널의 상하부 절연막 사이에서 발생하는 캐패시티브 커플링 (capacitive couplig) 현상을 이용함으로써 기존의 이온 감지 전계 효과 트랜지스터가 가지는 60 mV/pH 의 낮은 감도를 1,152 V/pH로 크게 증폭시킬 수 있었고 드리프트 및 히스테리시스 특성도 크게 향상 시킬 수 있었으며, pH 센서의 감도 및 장기 신뢰성이 크게 개선된 고성능 플렉서블 바이오센서 응용이 가능하다는 것을 확인하였다.
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