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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제6호
발행연도
2016.1
수록면
359 - 364 (6page)

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P-type 금속 산화물인 NiO (nickel oxide)는 높은 전자 이동도를 갖으며 반응 속도와 민감도가 매우 높은 물질로 이를 이용하여 Al/n-Si/SiO2/p-NiO/ITO 구조의 이종접합 소자를 제작하였다. 이 이종접합 디바이스는 가시광 영역에서 투과도가 80% 이상으로 확보되면서 반면 자외선 영역은 효과적으로 차단되는 NiO를 기능성 윈도우로 사용하였다. 장파장에 대한 광전류 반응 상승 시간 38.33 µS와 하강 시간 39.25 µS으로 매우 신속한 광응답을 보였으며, 이를 토대로 고성능의 photodetector 등을 구현할 수 있는 근간기술이 될 것으로 예상된다.

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