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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제9호
발행연도
2016.1
수록면
559 - 564 (6page)

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본 연구는 협대역 전자기파로 인한 CMOS IC에서의 오동작 특성을 알아보았다. 협대역 전자기소스는 2.45 Ghz 마그네트론이 사용되었다. HCMOS IC의 오동작 특성은 MFR (Malfunction Failure Rate) curve를 이용하여 확인하였다. 또한 전자기파에 노출되지 않은 IC와 노출된 IC의 특정 pin들의 pin-to-pin 저항을 측정해 보았다. 실험 결과, 오동작은 3단계로 나뉘어 발생하였다. 7.96 kV/m의 약한 전계에서는 Output 핀에 연결된 LED에 플리커 현상을 일으키는 오동작이 우세하게 나타났다. 9.1 kV/m 이상의 전계에서는 전자기파 방사 동안 IC의 입출력 핀의 전압강하를 일으키는 self-reset 오동작이 우세하게 나타났다. 20.89 kV/m 이상의 전계에서는 IC의 Vcc를 reset시킨 후 다시 정상동작하는 power-reset이 우세하게 나타났다. IC의 pin-to-pin 저항의 측정 결과, 협대역 전자기파에 노출된 IC와 노출되지 않은 IC에서 별다른 차이를 보이지 않았다. 그러나 5개의 IC에서 다른 샘플에 비해 비교적 낮은 저항을 나타내었다. 이는 latch-up 현상 발생시 IC 내부의 pn 접합면의 절연파괴의 결과일 것으로 사려 된다. 본 연구 결과는 IC 보호 및 고출력 전자기파의 영향 분석의 기초 자료로 사용될 것으로 판단된다.

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