본 실험에서는 PLD를 이용하여 수정 기판위에 25 nm에서 300 nm의 두께를 가지는 AZO (3 at.%) 박막의 제작을 시도하였다. XRD, SPM, 홀효과 측정 장치 및 분광광도계를 사용하여, 구조적, 형상학적, 광학적 그리고 전기적인 특성을 분석하였다. XRD 회절 패턴의 해석을 통해 제작된 박막이 우선방위 성장을 하였고, 두께가 증가할수록 높은 회절강도를 가지는 것을 확인하였다. 표면분석을 통해 박막의 두께가 증가할수록 표면 거칠기 및 결정립의 크기가 커지는 것으로 나타났다. 200 nm의 두께를 가지는 박막에서 4.25×10^(-4) Ω·cm의 가장 낮은 비저항과 6.84×10^(20) cm^(-3)의 캐리어 농도 및 21.4 ㎠/V·S의 이동도가 측정되었다. 제작된 모든 박막은 가시광영역에서 80% 이상의 투과도를 보였다. 위의 결과를 통해 박막의 두께는 구조적, 형상학적, 광학적 및 전기적 특성에 큰 영향을 줄 수 있으며, 적절한 두께의 조절을 통해서 보다 더 낮은 저항을 얻을 수 있을 것으로 생각된다.
AZO (Al doped ZnO) thin films were deposited on the quartz substrates with thickness variation from 25 to 300 nm by using PLD (pulsed laser deposition). XRD (x-ray diffractometer), SPM (scanning probe microscopy), Hall effect measurement and uv-visible spectrophotometer were employed to investigate the structural, morphological, electrical and optical properties of the thin films. XRD results demonstrated that films were preferrentially oriented along the c-axis and crystallinity of film was improved with increase of film thickness. As for the surface morphologies, the mean diameter and root mean square of grains were increased as the film thickness was increased. When the film thickness was 200 nm, the lowest resistivity of 4.25×10^(-4) Ωcm obtained with carrier concentration of 6.84×10^(20) cm^(-3) and mobility of 21.4 ㎠V·S. All samples showed more than 80% of transmittance in the visible range. Upon these results, it is found that the samples thickness can affect their structural, morphological, optical and electrical properties. This study suggests that the resistivity can be improved by controlling film thickness.