Effect of a Cu Buffer Layer on the Structural, Optical, and Electrical Properties of IGZO/Cu bi-layered Films

문현주; 공태경; 김대일; 최동혁; 손동일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 문현주 공태경 김대일 최동혁 손동일

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제1호

발행연도: 2016.1

수록면: 18 - 20 (3page)

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Transparent and conducting IGZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering on thin Cu coated glass substrates to investigate the effect of a Cu buffer layer on the structural, optical, and electrical film properties. Although X-ray diffraction (XRD) analysis revealed that both the IGZO single layer and IGZO/Cu bi-layered films were in the amorphous phase, the IGZO/Cu films showed a lower resistivity of 5.7×10-4 Ωcm due to the increased mobility and high carrier concentration. The decreased optical transmittance of the IGZO/Cu films was also attributed to a one order of magnitude higher carrier concentration than the IGZO films. From the observed results, the thin Cu layer is postulated to be an effective buffer film that can enhance the opto-electrical performance of the IGZO films in transparent thin film transistors.

#IGZO #Cu #Magnetron sputtering #XRD #AFM #Figure of merit

참고문헌 (13)

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P. Prepelita / 2015 / Effect of annealing treatment on the structural and optical properties of AZO samples / Applied Surface Science 352:23~27

전재현 / 2015 / Effect of Post-Deposition Annealing on the Structural, Optical and Electrical Properties of IGZO Films / Electronic Materials Letters 11(3):481~484

채홍철 / 2015 / 플라즈마 표면처리로 개질된 ITO 박막의 전기적 특성 / 대한금속·재료학회지 53(9):642~647

Nicolas Martin / 2014 / Low temperature electronic transport in sputter deposited a-IGZO films / Current Applied Physics 14(11):1481~1485

Keisuke Ide / 2012 / Effects of low-temperature ozone annealing on operation characteristics of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors / Thin Solid Films 520(10):3787~3790

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