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저자정보
권희태 (광운대학교 전자바이오물리학과) 김우재 (광운대학교 전자바이오물리학과) 신기원 (광운대학교 전자바이오물리학과) 이환희 (광운대학교 전자바이오물리학과) 이태현 (광운대학교 전자바이오물리학과) 권기청 (광운대학교 전자바이오물리학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제17권 제4호
발행연도
2018.1
수록면
97 - 100 (4page)

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$NF_3$ Plasma etching of silicon was conducted by injecting only $NF_3$ gas into reactive ion etching. $NF_3$ Plasma etching was done in intermediate pressure. Silicon etching by $NF_3$ plasma in reactive ion etching was diagnosed through residual gas analyzer and optical emission spectroscopy. In plasma etching, optical emission spectroscopy is generally used to know what kinds of species in plasma. Also, residual gas analyzer is mainly to know the byproducts of etching process. Through experiments, the results of optical emission spectroscopy during silicon etching by $NF_3$ plasma was analyzed with connecting the results of etch rate of silicon and residual gas analyzer. It was confirmed that $NF_3$ plasma etching of silicon in reactive ion etching accords with the characteristic of reactive ion etching.
#$NF_3$ Plasma #Si Etching #Residual Gas Analyzer #Optical Emission Spectroscopy

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