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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.6
- 발행연도
- 2020.12
- 수록면
- 485 - 490 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.6.485
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An O₂ based selective GaN etching process was developed herein for use in p-GaN gated AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor fabrication, where precise control of the p-GaN etching was an important process step that determined the device characteristics. The p-GaN layer was etched by a two-step process: low damage BCl₃/Cl₂ plasma etching in conjunction with Cl₂/N₂/O₂ based selective etching. A high selectivity of 53:1 for the p-GaN:AlGaN was achieved by the Cl₂/N₂/O₂ plasma etching. The device fabricated by the optimized etching process exhibited excellent enhancement-mode characteristics, i.e., a threshold voltage of 2.45 V, a specific on-resistance of 5.55 mΩ·cm², an on/off ratio of ~10<SUP>9</SUP>, and an off-state breakdown voltage of >1100 V.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS AND DISCUSSION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
U.K. Mishra et al., “AlGaN/GaN HEMTs-An Overview of Device Operation and Applications,” Proceedings of the IEEE, Vol. 90, No. 6, pp. 1022- 1031, 2009.
O. Ambacher et al., “Two Dimensional Electron Gases Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in Undoped and Doped AlGaN/GaN Heterostructures,” Journal of Applied Physics, Vol. 87, No. 1, pp. 334-344, 2000.
Y. Uemoto et al., “Gate Injection Transistor (GIT)?A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation,” Journal of Applied Physics. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 54, No. 12, pp. 3393-3399, 2007.
W.B. Landford et al., “Normally Off AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with P-InGaN Cap Layer,” Journal of Applied Physics, Vol. 113, No. 3, p. 034502, 2005.
S. Huang et al., “Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, No. 1, pp. 207-214, 2018.
O. Ambacher et al., “Two Dimensional Electron Gases Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in Undoped and Doped AlGaN/GaN Heterostructures,” Journal of Applied Physics, Vol. 87, No. 1, pp. 334-344, 2000.
Y. Uemoto et al., “Gate Injection Transistor (GIT)?A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation,” Journal of Applied Physics. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 54, No. 12, pp. 3393-3399, 2007.
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S. Huang et al., “Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, No. 1, pp. 207-214, 2018.
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