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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.1
- 수록면
- 104 - 111 (8page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.1.104
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2022
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낸드 플래시 용량 증가를 위해 적층 기술 개발뿐만 아니라 단위 메모리 셀인 전하 트랩 플래시(CTF: Charge Trap Flash)의 스케일링 기술 개발이 필요하다. 전하 트랩 플래시의 스케일링 방향은 고유전율 유전 박막 등의 신소재 개발로 이루어질 것으로 보이며, 이 연구에서는 고유전율 박막을 적용한 전하 트랩 플래시 셀의 이레이즈 동작 시뮬레이션 모델을 제시한다. 본 모델은 평균 트랩 거리, 드리프트 속도, 캐리어 수명을 사용하여 트랩 층에 주입된 전하들의 이동을 직관적으로 이해하기 쉽게 나타낸 모델이다. CTF 커패시터 소자들에서의 시뮬레이션 결과를 실험 측정값과 비교하여 트랩 층의 주요 파라미터인 트랩에너지를 추출할 수 있다. 시뮬레이션 결과의 해석으로부터 얻은 트랩 층의 전자/정공 트랩 에너지는 각각 Si₃N₄(1.42, 0.93 eV), 비정질 HfO₂(1.00, 1.13 eV), 다결정질 HfO₂(1.10, 1.14 eV)이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델링 방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
D. S. Choi, S. H. Lee, and S. K. Park, "Study of Program and Erase Characteristics for the Elliptic GAA SONOS Cell in 3D NAND Flash Memory," Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers, vol. 50, no. 11, November 2013. doi: 10.5573/ieie.2020.57.9.29.
K. Parat and A. Goda, "Scaling Trends in NAND Flash," 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 2.1.1-2.1.4, 2018. doi: 10.1109/IEDM.2018.8614694.
Y. S. Song, and H. Kim, "Improvement of Self-heating Effect and Retention Characteristics in HfO2-Based Nonvolatile Memory for NOR Flash by Utilizing Sapphire Substrate," Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers, vol. 57, no. 9, September 2020. doi: 10.5573/ieie.2020.57.9.29.
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G. W. Kim and S. J. Baik, “Charge trap modeling based on mobility–lifetime (μτ) product for NAND flash program operation”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 60, no. 9, 2021. doi: 10.35848/1347-4065/ac17da.
K. Parat and A. Goda, "Scaling Trends in NAND Flash," 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 2.1.1-2.1.4, 2018. doi: 10.1109/IEDM.2018.8614694.
Y. S. Song, and H. Kim, "Improvement of Self-heating Effect and Retention Characteristics in HfO2-Based Nonvolatile Memory for NOR Flash by Utilizing Sapphire Substrate," Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers, vol. 57, no. 9, September 2020. doi: 10.5573/ieie.2020.57.9.29.
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