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최지수 (한림대학교) 양정목 (한림대학교) 김예은 (한림대학교) 강다현 (한림대학교) 박찬규 (한림대학교) 정소연 (한림대학교) 김석규 (한림대학교) 김용덕 (철원플라즈마) 손병희 (철원플라즈마) 장문규 (한림대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제72권 제10호
발행연도
2022.10
수록면
726 - 733 (8page)

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뇌에서는 외부 자극에 의해 뉴런들의 연관성이 높아지면 시냅스를 통하여 연결 강도가 달라지게 된다. 본 연구에서는 양자점을 사용하여 이러한 시냅스를 구현하는 소자를 제작하고 평탄대 전압을 변화시키며 메모리 효과를 확인하였다. Pt/Cr/Al₂O₃/Quantum Dots/SiO₂/Si 기판의 수직 구조를 가진 소자를 제작하였고, 소자의 동작을 위해 게이트 전극에 전압을 가하였다. 이때, 절연막 손상이 발생하지 않는 적절한 프로그래밍/이레이징 전압 범위 설정이 필요하므로 전류-전압을 측정하여 절연막의 항복 전압을 도출하였다. 이후, 적절한 프로그래밍 전압을 인가하며 정전용량-전압 측정을 진행하였고 이를 통해 양자점의 메모리 효과를 확인하였다. 우리는 소자에 인가하는 전압의 크기와 시간을 변경하며 양자점에 포획되는 전자의 수를 조절하였고, 양자점에 포획된 전자의 수에 따라 평탄화 전압을 변화시켜 여러 단계의 상태를 표현할 수 있었다. 이를 통해 상태가 다양한 강도의 아날로그 형태로 변화하는 시냅스 특성을 표현할 수 있는 가능성을 확인하였다.
#Neuromorphic #Synaptic device #Quantum dot #Charge trap #뉴로모픽 #시냅스 소자 #양자점 #전하 트랩

목차

I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 논의
IV. 결론
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