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김준형 (충남대학교) 임정택 (충남대학교) 이재은 (충남대학교) 송재혁 (충남대학교) 손정택 (충남대학교) 백민석 (충남대학교) 이은규 (충남대학교) 최선규 (충남대학교) 김철영 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제33권 제11호(통권 제306호)
발행연도
2022.11
수록면
897 - 900 (4page)

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본 논문은 65-㎚ CMOS 공정을 이용한 K-band 전력 증폭기 설계에 관한 내용이다. 동작 주파수 내에서 높은 선형성을 유지하기 위해 전력 증폭단에서 저역 필터구조를 이용하였다. 전력 증폭기는 동작 주파수 내에서 충분한 이득을 얻기 위해 총 2단으로 설계되었다. 제안된 전력 증폭기는 RF 및 DC 패드를 포함하여 0.93×0.47 ㎟의 칩 면적을 가진다. 제작된 전력 증폭기 설계 결과, 19∼21 ㎓ 대역에서 22.4∼22.7 ㏈m의 최대 포화 전력, 39∼40 %의 PAE(power added efficiency)를 가진다. 2-tone 시뮬레이션 결과에서 −30 ㏈c 이하의 IMD3(third-order inter-modulation distortion)을 만족하는 선형 전력 및 효율은 19∼21 ㎓ 대역에서 각각 16∼17 ㏈m, 24∼28 %로 확인되었다.
#Power Amplifier (PA) #Efficiency #Linearity

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 설계 결과
Ⅳ. 결론
References

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