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자료유형
학술저널
저자정보
Abdelhafid Marroun (Abdelmalek Essaadi University) Naima Amar Touhami (Abdelmalek Essaadi University) Taj-eddin El Hamadi (Abdelmalek Essaadi University)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제5호
발행연도
2021.10
수록면
651 - 658 (8page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-020-00276-y

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An a-IGZO TFT is analyzed in this paper. The Universal Organic TFT (UOTFT) equivalent circuit model is used to model the a-IGZO TFT equivalent circuit. Physical simulation is performed to examine the channel width effect (W) on its current?voltage characteristics I ds , gate-to-source capacitance C gs , and gate-to-drain capacitance C gd . Moreover, analytical modeling is put into the study of the source current I ds . A multilayer perceptron (MLP) neural modeling method is applied and tested with diff erent numbers of neurons to elaborate an equivalent mathematical model of the used a-IGZO TFT output characteristic I ds , as well as to develop an equivalent circuit model of the proposed a-IGZO TFT gate-to-source capacitance C gs , and gate-to-drain capacitance C gd . Results prove that the multilayer perceptron (MLP) neural modeling and more precisely MLP3 [4 5 1] and MLP3 [4 4 1] represents the most optimal solution compared with the analytical model for Ids and capacitances (C gs , C gd ), respectively. They also prove that the used Universal Organic TFT (UOTFT) Model is a good candidate for a-IGZO TFT equivalent circuit modeling.
#a-IGZO TFT modeling #Artificial neural network model #Electrical characteristics #Numerical simulation #Thin film transistors TFTs #Universal organic TFT (UOTFT) model

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P.-S. Kuo / 2019 / Pᒧ10 : A 5. 5ᒧinch Real HD AMOLED Smartphone with IGZO Backplane / SID Symposium Digest of Technical Papers 50(1):1248~1250 google schola C. Liu / 2019 / Low-temperature, high-performance InGaZnO thin-fi lm transistors fabricated by capacitive coupled plasma-assistant magnetron sputtering / IEEE Electron Device Lett 40(3):415~418 google schola K. Myny / 2018 / The development of fl exible integrated circuits based on thin-fi lm transistors / Nat. Electron 1(1):30~39 google schola A. Marroun / 2019 / Improved IGZO-TFT structure Using High-k Gate Dielectric Materials / 2019 International conference on wireless technologies, embedded and intelligent systems (WITS) google schola M. M. Billah / 2018 / Reduced mechanical strain in bendable a-IGZO TFTs under dual-gate driving / IEEE Electron Device Lett 39(6):835~838 google schola

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