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송재혁 (충남대학교) 임정택 (충남대학교) 이재은 (충남대학교) 손정택 (충남대학교) 김준형 (충남대학교) 백민석 (충남대학교) 이은규 (충남대학교) 최선규 (충남대학교) 김철영 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제34권 제3호(통권 제310호)
발행연도
2023.3
수록면
240 - 243 (4page)

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본 논문은 150-nm GaN HEMT 공정으로 설계 및 제작된 6비트의 위상천이기에 관한 내용이다. 5G NR 표준 중 n257(26.5∼29.5 GHz) 대역에서 동작하는 스위치 필터형 위상천이기를 설계하였다. 설계된 위상 천이기는 360°의 위상을 5.625°씩 변화시키기 위해 180°부터 5.625°까지의 6개 단일 위상천이기를 사용하였으며, 지연 경로를 구성하는 필터의 구성 소자 크기를 줄이기 위해 LCL의 저역 통과 T형 필터를 사용하였다. 180° 위상천이기는 저역과 고역 통과 T형 필터를 혼합하였다. 제작된 위상천이기는 26.5∼29.5 GHz에서 평균 삽입손실은 8.45 dB이며, RMS 위상오류는 4.54° 이하이다. 본 논문의 위상천이기는 낮은 비트당 삽입손실과 적은 RMS 위상오류를 갖는다.
#5G NR (n257) #GaN pHEMT #Phase Shifter #STPS #T-Type Filter

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 위상천이기 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
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