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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.23 No.2
- 발행연도
- 2023.4
- 수록면
- 128 - 137 (10page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2023.23.2.128
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Silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are commonly used in the power transistor industry owing to their superior conductivity, low switching loss, high-frequency operation, and desirable thermal characteristics. However, the short-circuit withstand time of SiC MOSFETs is shorter than that of Si devices, which is disadvantageous in fault states. Gate drivers for SiC MOSFETs require short-circuit protection and soft termination circuits to detect short circuits and protect the power devices and systems from a short-circuit state. Thus, short-circuit protection circuits for SiC MOSFETs are reviewed in this paper. Accordingly, short-circuit detection circuits classified according to gate-source voltage (VGS), drain-source voltage (VDS), and drain-source current (IDS) detection methods are discussed. Moreover, the merits and demerits of soft termination circuits are reviewed.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. SHORT CIRCUIT PROTECTION CIRCUITS
III. SOFT TERMINATION CIRCUITS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (34)
참고문헌 신청
K. Hamada, M. Nagao, M. Ajioka, and F. Kawai, “SiC-Emerging power device technology for nextgeneration electrically powered environmentally friendly vehicles,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 62, no. 2, pp. 278-285, Feb. 2015.
J. He, A. Sangwongwanich, Y. Yang, K. Zhang, and F. Iannuzzo, “Design for reliability of SiCMOSFET-based 1500-V PV inverters with variable gate resistance,” IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 58, no. 5, pp. 6485-6495, Sept-Oct 2022.
S. Hazra, A. De, L. Cheng, J. Palmour, M. Schupbach, B. A. Hull, S. Allen, and S. Bhattacharya, “High switching performance of 1700-V, 50-A SiC power MOSFET over Si IGBT/BiMOSFET for advanced power conversion applications,” IEEE Transaction on Power Elect
X. She, A. Q. Huang, Ó. Lucía, and B. Ozpineci, “Review of silicon carbide power devices and their applications,” IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 64, no. 10, pp. 8193-8205, Oct. 2017.
J. Rabkowski, D. Peftitsis, and H.-P. Nee, “Silicon carbide power transistors: A new era in power electronics is initiated,” IEEE Industrial Electronics Magazine, vol. 6, no. 2, pp. 17-26, 2012.
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