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저자정보
홍영기 (성균관대학교) 최경륜 (성균관대학교) 양지현 (성균관대학교) 김의혁 (LG전자) 김찬규 (LG전자) 나완수 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제34권 제11호(통권 제318호)
발행연도
2023.11
수록면
811 - 823 (13page)

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본 논문은 FET의 고주파 기생성분을 추출하고 SPICE 모델에 적용한 FET 패키지의 스위칭 모델을 제안한다. 기생성분을 추출하기 위해 Curve tracer 장비(Keysight Tech. B1506A)와 TPA(two probe analysis), 2-포트 측정을 사용한다. FET의 커패시턴스는 VDS에 따라 소자 용량이 변화하여 2-포트 측정 시 바이어스 티를 추가로 연결하는 측정법을 제시하였다. 세 가지 방법으로 추출한 커패시턴스를 비교하여 추출한 기생성분의 타당성을 보였다. 추출한 기생성분을 SPICE 모델에 적용하기 위해 제조사 SPICE 모델을 분석하였으며, 다이오드의 커패시턴스 수식을 사용하였다. 적용한 SPICE 모델은 측정으로 도출한 Z-파라미터와 정합성 비교를 통해 검증하였고, 스위칭 노이즈 재현을 위해 FET의 스위칭 회로를 사용하였다. 시뮬레이션과 측정의 정합성을 높이기 위해 FET가 실장되는 PCB의 기생성분과 파워 서플라이의 입력 임피던스를 추출해 시뮬레이션에 적용하였으며, 시뮬레이션과 측정간 드레인-소스 전압 및 드레인 전류의 정합성을 비교하였다. 이를 통해 제안한 FET의 기생성분 측정법 및 SPICE 모델의 유의미함을 보였다.
#MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) #Switching Noise #Parasitic Components #SPICE Modeling #Z-Parameter

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. FET 소자의 I-V 특성 곡선 SPICE 모델링
Ⅲ. FET 소자의 기생성분 추출
Ⅳ. 제조사 제공 SPICE 모델의 수정
Ⅴ. 시뮬레이션, 측정 간 정합성 비교
Ⅵ. 결론
References

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