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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국과학기술원 정보전자연구소 IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems Vol.10 No.1
- 발행연도
- 2024.1
- 수록면
- 11 - 15 (5page)
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In this paper, a voltage-controlled oscillator (VCO) operating at H-band (220-330 GHz) with 250-nm InP HBT technologies is presented. The VCO is designed with a Colpitts topology to oscillate at a fundamental frequency of 250 GHz. A common-base output buffer amplifier is implemented to isolate the oscillator core from the output load, thereby reducing the load-pulling effect. The VCO is designed by using Agilent Advanced Design System (ADS) tools. Small and large signal analysis were implemented by ADS. The measured frequency tuning range of the VCO is 12.6 GHz, spanning from 226.2-238.8 GHz. The maximum output power was measured at 230 GHz and recorded as 2.7 dBm. The dc power consumption is 32.2 mW, resulting in a dc-to-RF conversion efficiency of 5.2 %. The measured phase noise is -71.2 dBc/Hz at 10-MHz offset frequency.
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