이동통신 시스템의 발전에 따라 전력증폭기의 고효율, 광대역 특성 개선을 위한 연구가 요구된다. 전력증폭기의 효율특성을 개선하기 위해 스위치 모드 전력증폭기에 대한 연구가 진행되고 있으나 Class-D, E, F와 같은 스위치 모드 전력증폭기는 출력단에서 고유하게 나타나는 하모닉 신호에 의하여 효율저하와 전력증폭소자의 스위칭 속도의 한계성과 비선형성으로 인하여 스위치 모드 전력증폭기의 실용성에 문제가 있다. 이러한 문제점 때문에 전력증폭기의 2차 하모닉만 제어하여 고효율 특성을 갖는 Class-J 전력증폭기의 광대역 동작에 대한 연구가 진행되어왔다. 광대역 Class-J 전력증폭기 설계에 있어 기본 동작 주파수에 맞는 2차 하모닉의 정합이 필요하나 기존의 연구결과에서는 2차 하모닉 정합회로의 주파수 응답특성에 대한 분석을 고려하지 않아서 광대역 전력증폭기 설계에서 Class-J 동작조건을 불만족하게 되며, Class-B 동작과 위상이 반전된 Class-J* 동작을 포함하기 때문에 전력증폭기의 효율이 저하되는 문제점이 존재한다. 따라서 본 논문에서는 스터브 선로를 이용하여 2차 하모닉이 리액턴스 특성을 갖도록 내부 정합회로를 설계하고, 내부정합 스터브 선로의 특성 임피던스 변화에 따른 주파수 응답특성을 분석하였다. 최적화된 내부정합 스터브 선로는 유전율 8.3의 세라믹 재료에 LTCC 공정으로 제작하여, 2차 하모닉 정합기능을 갖는 GaN PAM으로 광대역 Class-J 전력증폭기를 설계하였다. 설계된 광대역 Class-J 전력증폭기의 고효율 특성을 얻기 위하여 다이나믹 바이어스를 적용하였으며, 설계된 Class-J 전력증폭기의 출력전력, 선형성, 효율의 절충점을 고려하여 동작조건을 최적화 하였다. 본 논문에서 연구한 다이나믹 바이어스를 적용한 광대역 Class-J 전력증폭기는 1.8GHz-2.7GHz의 900MHz 대역특성과 2.2GHz에서 출력 기준 측정결과 48.01dBm의 출력전력, 10.01dB의 전력이득, 73.33%의 드레인 효율, 66.02%의 전력부가효율의 특성을 나타낸다. 다이나믹 바이어스 적용 결과 7dB 백-오프 된 출력에서 최대 41.55%의 효율특성을 확인하였으며, 다이나믹 바이어스 적용전과 비교하였을 때, 드레인 효율은 10.07%, 전력부가효율은 9.22% 개선됨을 확인하였다. -41.27dBc/40.7dBm@1tone의 IMD 특성과 58.35dBm의 OIP3 특성을 나타내어 비선형 특성이 우수함을 보였다. 이 값은 이동통신 기지국용 전력증폭기에서 요구하는 40% 이하의 효율특성을 능가함으로 우수함을 보였다. 본 논문에서 구현한 내부정합 GaN 광대역 Class-J 전력증폭기는 1.8GHz-2.7GHz의 900MHz의 대역폭에서 50W급의 출력특성과 60% 이상의 효율특성을 가지며, 다이나믹 바이어스 적용을 통해 7dB 백-오프 된 출력에서 10.07%의 효율특성을 개선함으로써 중계기용 전력증폭기에 적용된 Doherty 전력증폭기를 대체할 수 있을 것이라 판단된다.
The research for improving high-efficiency, wideband characteristics of the power amplifier in accordance with the development of mobile communication systems is required. There have been researches on switch mode power amplifier to improve efficiency of power amplifier, but Class-D, E, and F switch mode power amplifiers have practicality problems with reduced efficiency due to harmonic signal, which is unique to the output terminal, and limited switching speed and nonlinearity of power transistor. To solve these issues, there have been researches on wideband operation of Class-J power amplifier to achieve high efficiency by controlling second harmonic of power amplifier. It is required to match second harmonic to fundamental frequency in designing wideband Class-J power amplifier but existing researches didn''t analyze frequency response characteristics of second harmonic matching circuit so if the wideband power amplifier design doesn''t meet the Class-J operation conditions, it includes Class-B and phase-inversed Class-J* operations resulting in reduced efficiency of power amplifier. So this paper designed internal matching circuit for the second harmonic to have reactance characteristics using stub line, and analyzed frequency response characteristics according to changed characteristic impedance of internal matching stub line. With optimized internal matching stub line, ceramic material of dielectric constant of 8.3, and TLCC process, it designed a wideband Class-J power amplifier with the matching functionality of second harmonic and GaN PAM. To achieve high efficiency of the designed wideband Class-J power amplifier, a dynamic bias was applied while the operation conditions were optimized in consideration of output power, linearity, and compromise of efficiency of it. The analyzed wideband Class-J power amplifier with dynamic bias features 900MHz band of 1.8GHz-2.7GHz and 48.01dBm of output power, 10.01dB of power gain, 73.33% of drain efficiency, and 66.02% of power added efficiency when measuring output at 2.2GHz. When the dynamic bias was applied, the max efficiency was 41.55% at 7dB back-off output, and the drain efficiency and power added efficiency were improved by 10.07% and 9.22%, respectively, comparing to the case where the dynamic case was not applied. It showed excellent nonlinearity with -41.27dBc/40.7dBm@1tone of IMD and 58.35dBm of OIP3 characteristics. This value exceeds the efficiency of 40% or less required by a power amplifier for mobile base station. The implemented internal matching GaN wideband Class-J power amplifier has 50W output and 60% or higher efficiency at 900MHz of 1.8GHz-2.7GHz, and it will be able to replace Doherty power amplifier of power amplifier of repeater by improving the efficiency by 10.07% at 7dB back-off output with a dynamic bias.
목차
국문요약제 1 장 서 론 = 11-1 연구의 필요성 및 목적 = 11-2 연구방법 및 구성 = 5제 2 장 마이크로파 전력증폭소자의 특성과 GaN PAM = 82-1 마이크로파 전력증폭소자의 특성 = 82-1-1 마이크로파 전력증폭소자의 개발 동향 = 82-1-2 마이크로파 전력증폭소자의 물질 특성 비교 = 92-1-3 GaN 전력증폭소자 등가회로 모델 특성분석 = 122-2 마이크로파 전력증폭기의 광대역 특성분석 = 152-2-1 마이크로파 전력증폭기의 광대역 설계법 = 152-2-2 광대역 마이크로파 전력증폭기 정합회로 = 162-2-3 스터브(Stub) 선로 정합회로의 주파수 응답 특성 = 182-3 마이크로파 GaN PAM 패키징 = 232-3-1 마이크로파 GaN PAM 패키지 분석 = 232-3-2 저온 세라믹 공정을 이용한 고 유전율 정합회로 = 262-3-3 내부정합 된 GaN PAM 기생성분 분석 = 28제 3 장 Class-J 전력증폭기의 광대역, 고효율 특성분석 = 313-1 전력증폭기의 구동방식 분석 = 313-1-1 전력증폭기의 효율특성 = 313-1-2 선형모드 전력증폭기 동작특성 분석 = 333-1-3 고효율 스위치 모드 전력증폭기 동작특성 분석 = 353-2 Class-J 전력증폭기 특성 분석 = 423-2-1 광대역 Class-J 전력증폭기의 동작특성 분석 = 423-2-2 Class-J 전력증폭기의 비선형 특성 분석 = 483-3 광대역 Class-J 전력증폭기의 백-오프 효율개선 = 503-3-1 Envelope Tracking에 의한 전력증폭기의 협대역 특성 = 503-3-2 광대역 다이나믹 바이어스의 동작 분석 = 52제 4 장 광대역 Class-J 전력증폭기 고효율 설계 및 제작 = 564-1 2차 하모닉 내부 정합회로가 적용된 GaN PAM 설계 및 제작 = 564-1-1 GaN PAM 패키지 기생성분 분석 = 574-1-2 2차 하모닉 내부 정합회로가 적용된 GaN PAM 패키징 설계 = 604-1-3 2차 하모닉 내부 정합회로가 적용된 GaN PAM 제작 및 분석 = 694-2 광대역 Class-J 전력증폭기 설계 및 제작 = 744-2-1 광대역 Class-J 전력증폭기 설계 = 744-2-2 광대역 Class-J 전력증폭기 제작 및 성능분석 = 854-3 다이나믹 바이어스를 적용한 광대역 Class-J 전력증폭기 설계 및 제작 = 934-3-1 전력증폭기 모델링을 이용한 다이나믹 바이어스 최적화 = 934-3-2 다이나믹 바이어스 구현 및 성능분석 = 1024-3-3 다이나믹 바이어스를 적용한 전력증폭기 비선형 특성 분석 = 106제 5 장 결 론 = 109참 고 문 헌 = 111약 어 정 리 = 122ABSTRACT = 123