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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 374 - 387 (14page)
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This paper derives an improved analytical model to estimate switching loss and analyze the effects of parasitic elements on the switching performance of SiC MOSFETs. The proposed analytical model considers the parasitic inductances, the nonlinearity of the junction capacitances and the nonlinearity of the trans-conductance. The turn-on process and the turn-off process are illustrated in detail, and equivalent circuits are derived and solved for each switching transition. The proposed analytical model is more accurate and matches better with experimental results than other analytical models. Note that switching losses calculated based on experiments are imprecise, because the energy of the junction capacitances is not properly disposed. Finally, the proposed analytical model is utilized to account for the effects of parasitic elements on the switching performance of a SiC MOSFET, and the circuit design rules for high frequency circuits are given.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. ANALYSIS OF SWITCHING PROCESSES
III. VERIFICATION OF THE ANALYTICAL MODEL
IV. EFFECTS OF PARASITIC ELEMENTS ON THE SWITCHING PERFORMANCE
V. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (37)
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[학술지(정기간행물)] - P. Ning / 2011 / High-temperature SiC power module electrical evaluation procedure / IEEE Trans. Power Electron 26 (11) : 3079 ~ 3083
[학술지(정기간행물)] - I. Josifovic / 2012 / Improving SiC JFET switching behavior under influence of circuit parasitics / IEEE Trans. Power Electron 27 (8) : 3843 ~ 3854
[학술지(정기간행물)] - B. Wrzecionko / 2012 / Novel AC-coupled gate driver for ultrafast switching of normally off SiC JFETs / IEEE Trans. Power Electron 27 (7) : 3452 ~ 3463
[학술대회논문] - D. Han / 2013 / Analysis of a SiC three phase voltage source inverter under various current and power factor operations / Conf. IECON 2013 : 447 ~ 452
[학술대회논문] - D. Han / 2013 / Efficiency comparison of SiC and Si-Based bidirectional DC-DC converters / Conf. ITEC 2013 : 1 ~ 7
[학술지(정기간행물)] - I. Josifovic / 2012 / Improving SiC JFET switching behavior under influence of circuit parasitics / IEEE Trans. Power Electron 27 (8) : 3843 ~ 3854
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