A 20 W GaN-based Power Amplifier MMIC for X-band Radar Applications

Bok-Hyung Lee; Byung-Jun Park; Sun-Youl Choi; Byeong-Ok Lim; Joo-Seoc Go; Sung-Chan Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Bok-Hyung Lee (Hanwha Systems) Byung-Jun Park (Hanwha Systems) Sun-Youl Choi (Hanwha Systems) Byeong-Ok Lim (GP Inc.) Joo-Seoc Go (GP Inc.) Sung-Chan Kim (Hanbat National University)

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제23권 제1호

발행연도: 2019.3

수록면: 181 - 187 (7page)

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In this paper, we demonstrated a power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for X-band radar applications. It utilizes commercial 0.25 μm GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) technology and delivers more than 20 W of output power. The developed GaN-based power amplifier MMIC has small signal gain of over 22 dB and saturated output power of over 43.3 dBm (21.38 W) in a pulse operation mode with pulse width of 200 μs and duty cycle of 4% over the entire band of 9 to 10 GHz. The chip dimensions are 3.5 mm × 2.3 mm, generating the output power density of 2.71 W/mm². Its power added efficiency (PAE) is 42.6–50.7% in the frequency bandwidth from 9 to 10 GHz. The developed GaN-based power amplifier MMIC is expected to be applied in a variety of X-band radar applications.

#Power amplifier #MMIC #GaN #HEMT #X-band

참고문헌 (18)

참고문헌 신청

David W. Runton / 2013 / History of GaN: High-Power RF Gallium Nitride (GaN) from Infancy to Manufacturable Process and Beyond / IEEE Microwave Magazine 14(3):82~93

Raymond S. Pengelly / 2012 / A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 60(6):1764~1783

D. Shin / 2017 / X-band GaN MMIC power amplifier for the SSPA of a SAR system / Proc. of 2017 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) :93~95

Kyung-Tae Bae / 2017 / X-Band GaN Power Amplifier MMIC with a Third Harmonic-Tuned Circuit / Electronics 6(4):103

Y. S. Noh / 2016 / A 16 watt X-band GaN high power amplifier MMIC for phased array applications / Proc. of 2016 IEEE International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT) 2:979~981

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