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저자정보
김성형 (성균관대학교) 진일비 (성균관대학교) 양영구 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제34권 제11호(통권 제318호)
발행연도
2023.11
수록면
785 - 790 (6page)

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본 논문에서는 150-nm GaN-HEMT 공정을 사용하여 Ku 대역 3-stage MMIC 전력증폭기를 설계하였다. 출력단에서 high pass 구조를 사용하여 회로의 크기를 줄이고 구동 증폭단에서 높은 부하 임피던스를 선택함으로써 높은 효율을 얻었다. 0.5 ms 주기의 10 % duty cycle 펄스 CW 신호를 사용하여 전력증폭기를 측정한 결과 13∼16 GHz 대역에서 포화전력 37∼38 dBm, 34∼41 %의 power added efficiency(PAE)와 26∼30 dB의 전력이득 측정결과를 보인다. 제작된 전력증폭기의 크기는 3.6×1.1 mm2이며 위성통신용 모듈의 송신부에 사용하기 적합하다.
#Power Amplifier #Ku-Band #GaN-HEMT #MMIC #Satellite Communication

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 전력증폭기
Ⅲ. 제작 및 측정결과
Ⅳ. 결론
References

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