수정된 전역통과 필터를 이용한 2~6 GHz 광대역 GaN HEMT 전력증폭기 MMIC

이상경; 김동욱

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이상경 (충남대학교) 김동욱 (충남대학교)

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌第26卷第7號

발행연도: 2015.7

수록면: 620 - 626 (7page)

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2015

수정된 전역통과 필터를 이용한 2～6 GHz 광대역 GaN HEMT 전력증폭기 MMIC

이상경 , 김동욱 한국전자파학회논문지 2015.07 학술저널

수정된 전역통과 필터를 이용한 2-6 GHz 광대역 GaN 전력증폭기 MMIC 설계

이상경 전자전파정보통신공학과 2015.01 학위논문

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본 논문에서는 2차 전역통과 필터를 이용하여 입력정합을 수행하고, LC 병렬공진 회로를 이용하여 트랜지스터의 출력 리액턴스를 최소화하는 기법을 적용함으로써 2～6 GHz에서 동작하는 광대역 GaN 전력증폭기 MMIC를 설계 및 제작하였다. 광대역 손실정합을 위해 사용된 2차 전역통과 필터는 트랜지스터의 채널 저항 효과를 보상하기 위해 비대칭적구조를 사용하였다. Win Semiconductors사의 0.25 μm GaN HEMT 파운드리 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 2.6mm×1.3 mm이며, 주파수 대역 내에서 약 13 dB의 평탄한 이득 특성과 10 dB 이상의 우수한 입력정합 특성을 보였다. 포화출력 조건에서 측정된 출력전력은 2～6 GHz에서 38.6～39.8 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 31.3～43.4 %을 나타내었다.

#GaN #HEMT #Power Amplifier #MMIC #Lossy Matching #All-Pass Filter

참고문헌 (11)

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[학술지(정기간행물)] - R. J. Trew / 2000 / Wide bandgap semiconductor transistors for microwave power amplifiers / IEEE Microwave Magazine 1 (1) : 46 ~ 54

[학술지(정기간행물)] - D. W. Runton / 2013 / History of GaN: high-power RF gallium nitride(GaN)from infancy to manufacturable process and beyond / IEEE Microwave Magazine 14 (3) : 82 ~ 93

[학술지(정기간행물)] - 김동욱 / 2013 / 전자전 증폭장치 / 전자파기술 24 (6) : 25 ~ 36

[학술대회논문] - M. A. Gonzalez-Garrido / 2008 / 2～6 GHz GaN MMIC power amplifiers for electronic warfare applications / The 3rd Eu-MIC Conference : 83 ~ 86

[학술지(정기간행물)] - C. Campbell / 2009 / A wideband power amplifier MMIC utilizing GaN on SiC HEMT technology / IEEE Journal of Solid-State Circuits 44 (10) : 2640 ~ 2647

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