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한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of The Korea Electromagnetic Engineering Society Vol.5 No.3
발행연도
2005.9
수록면
112 - 116 (5page)

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This paper presents a broadband two-stage low noise amplifier(LNA) operating from 3 to 10 GHz, designed with 0.18 μm RF CMOS technology. The cascode feedback topology and broadband matching technique are used to achieve broadband performance and input/output matching characteristics. The proposed UWB LNA results in the low noise figure(NF) of 3.4 dB, input/output return loss(S₁₁/S₂₂) of lower than ―10 dB, and power gain of 14.5 dB with gain flatness of ±1 dB within the required bandwidth. The input-referred third-order intercept point(IIP₃) and the input-referred 1-dB compression point(P_(1dB)) are ―7 dBm and ―17 dBm, respectively.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Requirement of UWB LNA

Ⅲ. Circuit Design

Ⅳ. Post - Layout Simulation Results

Ⅴ. Conclusion

References

저자소개

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / nov.2003. / Multi-band OFDM physical layer proposal for IEEE 802.15 Task group3a : 15 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - B. Razavi / 1998 / RF Microelectronics google schola [학술지(정기간행물)] - G. Gonzalez / 1984. / Microwave Transistor Amplifiers google schola [학술지(정기간행물)] - D. Shaeffer / 1997. / A 1.5 V^1.5 GHz CMOS low noise amplifier 32 (5) : 745 ~ 759 google schola [학술지(정기간행물)] - T. K. Nguyen, / 2004. / CMOS low-noise amplifier design optimization techniques 52 (5) : 1433 ~ 1442 google schola

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