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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
황성주 (순천대학교) 곽준섭 (순천대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제3호
발행연도
2017.3
수록면
175 - 179 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.3.175

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본 연구에서는 r-plane sapphire 기판에 성장된 무분극 a-plane (11-20) GaN LEDs의 발광효율 향상에 미치는 SiO2 전류제한층(current blocking layer, CBL) 효과를 연구하였다. SiO2 CBL은 PECVD를 이용하여 p-pad 금속 아래에 형성하였다. SiO2 CBL 이 형성된 무분극 GaN LEDs 는 CBL이 없는 무분극 GaN LED에 비하여 광출력이 크게 향상되었으며, 이는 SiO2 CBL에 의하여 활성층으로의 전류주입이 제한되어, p-pad 금속에서의 광 흡수가 줄어들고 전류 퍼짐이 향상되기 때문이다.

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