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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김재관 (성균관대학교) 이창중 (성균관대학교) 서문교 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제34권 제4호(통권 제311호)
발행연도
2023.4
수록면
310 - 316 (7page)

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본 논문에서는 40 nm CMOS 공정을 이용한 130 GHz 차동 공통 소스 구조 전력 증폭기를 제시한다. 출력을 제외한 단 간의 정합은 경우 트랜스포머를 통해 공액(conjugate) 정합을 하였으며, 출력은 발룬을 통한 최대 출력 부하 임피던스에 정합하였다. 온웨이퍼 측정 결과, 증폭기의 최대 이득은 130 GHz에서 22.5 dB, 3-dB 대역폭은 15 GHz이며, 출력 포화전력은 7.7 dBm이다. 공급전압 1 V에서 소비전력은 81 mW이고, 포화된 출력 전력에서 7.1 %의 효율을 달성하였다. 패드를 제외한 칩 면적은 388 μm×168 μm이다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. D-대역 전력 증폭기 구성 및 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
References

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